晶振的負載電容
晶振有一個重要的參數(shù),差分輸出晶振生產(chǎn)廠家,那就是負載電容值,選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。
一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個電容分別接到晶振的兩端,差分輸出晶振報價,每個電容的另一端再接到地,這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負載電容,請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個不能忽略。
一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容,則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容+等效輸入電容=22pF。
晶體振蕩器的特性
溫度特性:指在其他條件不變的情況下,差分輸出晶振,溫度對其頻率穩(wěn)定度的影響
電壓特性:指在其他條件不變的情況下,電壓的變化(小幅度紋波)對其頻率穩(wěn)定度的影響
壓控電壓:有些晶振會有一個VC腳位,通過外加電壓調(diào)節(jié)輸出頻率,一般牽引范圍在PPM級別
雜散:指相噪曲線上的一些毛刺,源于放大器或者混頻器的噪音
短期穩(wěn)定性:理想的振蕩器的輸出電壓為正弦曲線。實際的振蕩器輸出電壓由于噪聲的影響是偏移的正弦曲線的
選擇振蕩器時需要考慮哪些因素
選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,差分輸出晶振原廠,HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時,相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容,整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器,如MAX7375,工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。
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