WT-2000P電阻率計(jì)SEMILAB鋼錠缺陷檢測(cè)裝置檢測(cè)器

WT-2000P電阻率計(jì)SEMILAB鋼錠缺陷檢測(cè)裝置

WT-2000P 是一種高通量在線測(cè)量?jī)x器，檢測(cè)器，通過(guò)測(cè)量載流子復(fù)合壽命和電阻率來(lái)監(jiān)控硅塊的質(zhì)量。在大 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進(jìn)行快速非接觸式測(cè)量（單點(diǎn)、線掃描和/或地圖）。有手動(dòng)和自動(dòng)測(cè)量方式，上塊功能也有手動(dòng)和自動(dòng)（傳送帶）。它還具有自動(dòng)化功能。

載流子復(fù)合壽命是多晶硅塊的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。測(cè)量基于 μ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測(cè)量的。

WT-2000PVN 是一款臺(tái)式測(cè)量裝置，接地故障檢測(cè)器GST7P，可以測(cè)量各種太陽(yáng)能電池、晶圓和塊。基本系統(tǒng)配備間接功能，您可以根據(jù)實(shí)際需要從以下選項(xiàng)中選擇配置測(cè)量功能。WT-2000PVN不僅可以測(cè)量晶圓和電池，還可以測(cè)量塊和錠。測(cè)量晶圓或電池時(shí)，通常會(huì)創(chuàng)建地圖。此外，在測(cè)量塊或錠時(shí)，通常只創(chuàng)建線掃描以節(jié)省時(shí)間，但 WT-2000PVN 可以同時(shí)進(jìn)行。

少數(shù)載流子壽命測(cè)量裝置。u-PCD法可對(duì)硅塊、硅片進(jìn)行非接觸、無(wú)損的壽命測(cè)量，并可進(jìn)行映射顯示。通過(guò)壽命測(cè)量，可以評(píng)估污染和雜質(zhì)，例如硅和化合物半導(dǎo)體中的鐵濃度。

WT-1200i 是一種非接觸式手持式儀器，用于基于渦流檢測(cè)光電導(dǎo)衰減 (e-PCD) 的單點(diǎn)體積壽命單點(diǎn)測(cè)量，適用于單晶錠和小塊金屬污染。專為檢測(cè)而開(kāi)發(fā)。與表面鈍化樣品中的 μ-PCD 高度相關(guān)。

檢測(cè)器?充填式蒸餾裝置HP-9000-B型柴田科學(xué)SIBATA

充填式蒸餾裝置HP-9000-B型柴田科學(xué)SIBATA

充填式蒸留裝置HP-9000-B型，簡(jiǎn)易蒸留裝置HP-1000-T型，充填式蒸留裝置HP-9100-B型，填料式蒸餾裝置，灌裝式蒸餾裝置，填充式蒸餾裝置

產(chǎn)品介紹

填料式蒸餾裝置HP-9000-B型：由于采用真空封套蒸餾塔，保溫效果好，可在無(wú)補(bǔ)償加熱器的情況下進(jìn)行蒸餾。運(yùn)算電路與主機(jī)一體化。

簡(jiǎn)易蒸餾裝置HP-1000-T型：這是簡(jiǎn)單形式的填料蒸餾設(shè)備，由基本所需的少零件組成，適用于實(shí)驗(yàn)設(shè)備。除了使用溫度控制器外，還可以使用內(nèi)置定時(shí)器設(shè)置回流比。不適用于高沸物和粘稠物質(zhì)的蒸餾。

灌裝式蒸餾裝置HP-9100-B型：由于采用真空封套蒸餾塔，保溫效果好，接地故障檢測(cè)器SRE5F，可在無(wú)補(bǔ)償加熱器的情況下進(jìn)行蒸餾。配有操作面板和溫度記錄儀。

規(guī)格模型HP-9100-B填充Helipack No.2（SUS316）用法一般用途壓力下降 2.128kPa (16mmHg)蒸餾塔充填式 φ22×1200 mm

真空夾套式蒸餾瓶500 mL、1 L、2 L，各 2 個(gè)加熱器套式加熱器 AC100V， 250 W， 400 W，接地故障檢測(cè)器GST6P， 500 W回流比計(jì)時(shí)器采樣 0 到 999 秒

回流 0 到 999 秒可用壓力范圍全真空至常壓電源AC100V 2kVA尺寸機(jī)身：650（W）x 550（D）x 2440（H）mm

操作面板：600（W）x 450（D）x 1650（H）mm

CV測(cè)量SEMILAB全自動(dòng)CV測(cè)量MCV-2200

全自動(dòng)CV測(cè)量裝置MCV-2200， MCV-2500，CV測(cè)量裝置MCV系列MCV-530、MCV-530L，彈性金屬探頭CV測(cè)量裝置FCV-3000，非接觸式CV測(cè)量裝置Cn-CV 300-SL，Cn-CV 310/210 CV/IV，Cn-CV 330/230 CV/IV，Cn-CV 350 CV/IV，CV-1500，自動(dòng)壽命測(cè)量裝置WT系列WT-2200， WT-2500， WT-3000，

產(chǎn)品介紹

CV測(cè)量裝置 Mercury probe MCV是一種可以評(píng)估半導(dǎo)體硅晶片和化合物半導(dǎo)體SiC的電氣特性以及MOS器件的氧化膜特性的裝置。在一般的CV測(cè)量設(shè)備中，poly-Si、Al等被氣相沉積在晶圓上作為柵電極，形成MOS和肖特基結(jié)構(gòu)后評(píng)估CV/IV特性?？梢院苋菀椎貦z查，而不需要MCV 自動(dòng)映射系統(tǒng)對(duì)用于外延硅制造和半導(dǎo)體前端處理的未圖案化晶圓執(zhí)行 CV 測(cè)量。

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