廣州福滔微波設備有限公司是集科研、試驗、開發(fā)、制造為一體,以高科技、高技術、高質量、為特征的高新技術企業(yè)。擁有一支十多年從事微波應用技術研究的骨干技術隊伍,并積累了多項微波應用的技術,特別是在非標產(chǎn)品的工藝設計開發(fā)領域,具有的技術實力和保障。公司上下員工始終貫徹“品質求精、技術創(chuàng)新”,倡導“以人為本、誠信立業(yè)”的企業(yè)精神。歡迎咨詢了解:石墨烯生產(chǎn)設備、石墨烯設備廠家、石墨烯干燥設備、石墨烯制造設備、石墨烯成套設備、微波石墨烯設備等。
石墨烯的應用領域
石墨烯制作的電磁屏蔽材料導電導熱性好、強度高、質量輕,相比傳統(tǒng)材料屏蔽效果更好,可提高電子產(chǎn)品及設備的防電磁干擾能力。
石墨烯吸波材料強度高、比表面積大、輕薄,可用于飛機、艦船、潛艇、坦克、雷達等裝備的隱身及微波暗室用吸波材料。
石墨烯防污涂料可使各類海洋生物無法在船底吸附,降低來自水體的摩擦阻力,降低船舶的耗能,提高行駛速度。
石墨烯防火涂料可提升阻燃性能,用于建筑物、汽車電池等,提高安全性。
石墨烯熱障陶瓷涂層材料,可用于飛機發(fā)動機葉片上。
石墨烯水凈化裝置可以將海水淡化、污水凈化成可供人直接使用的飲用水。
石墨烯基油水分離產(chǎn)品對車間、艦船、港灣含油廢水可有效進行油水分離。
石墨烯防護口罩防霧霾、粉塵、風沙、油煙、抑菌,透氣效果好。
石墨烯內衣、襪子具有抑菌、止癢、透氣、吸濕除臭i作用。
廣州福滔微波設備有限公司專注于烘干干燥設備的研發(fā)與生產(chǎn),在水果蔬菜脫水深加工、藥材深加工、食品加工生產(chǎn)線、工業(yè)品干燥加工生產(chǎn)線方面成效顯著,為客戶、為社會創(chuàng)造了巨大的經(jīng)濟價值和社會效益。公司主營產(chǎn)品有:石墨烯設備廠家、石墨烯干燥設備、石墨烯制造設備、石墨烯成套設備、石墨烯生產(chǎn)設備、單層石墨烯生產(chǎn)線等。公司秉承“服務到底,爭取更好”的宗旨,立足中原,放眼世界,時刻關注來自于市場和用戶的建議,不斷改進技術,完善石墨烯設備廠家服務,提。福滔的產(chǎn)品不僅在國內,更是吸引了世界各地的客戶來廠考察,石墨烯微波膨化設備廠家,訂貨。
多孔石墨烯的制備方法
模板法
模板法根據(jù)模板的組成及特性不同又可分為硬模板法和軟模板法兩種。
硬模板法
通過硬模板法制備多孔石墨烯材料主要涉及以下四個方面:(1)制備硬模板;(2)對模板表面進行功能化/改性,以獲得適宜的表面性能;(3)通過各種方法將石墨烯或其衍生物,如氧化石墨烯涂覆在模板上;(4)選擇性去除模板。
硬模板法也存在許多缺點,如產(chǎn)率相對不高,無法實現(xiàn)高產(chǎn),采用多步合成工藝時限制較大,模板移除時結構堅固性不足等。
軟模板法
軟模板法是碳前驅體與軟模板之間相互作用進行的自組裝反應,石墨烯微波膨化設備出售,經(jīng)過高溫碳化、聚合得到多孔石墨烯,其孔結構主要取決于合成條件,如反應物比例、溶劑類型和反應溫度等,該方法可直接用于合成介孔或大孔石墨烯材料。
相比于硬模板,軟模板本質上是在分子層面的合成,利用化學鍵或親/疏水作用力相互作用的同時構造多孔結構,在軟模板法制備多孔石墨烯材料的過程中,起重要作用的是模板與表面活性劑之間的化學反應。
公司主營產(chǎn)品有:石墨烯生產(chǎn)設備、石墨烯設備廠家、石墨烯干燥設備、微波石墨烯設備、石墨烯制備設備、微波石墨烯爆裂設備等。福滔的產(chǎn)品不僅在國內,更是吸引了世界各地的客戶來廠考察,訂貨。
淺談石墨烯的制備方法
化學氣相沉積法:化學氣相沉積法是指用甲i烷、乙醇等碳源(含碳前驅體)在高溫下分解釋放出碳原子,并經(jīng)退火沉積在基底(多為金屬基底)生長石墨烯的方法(俗稱燒爐子╮(╯-╰)╭),是目前有可能得到大面積、高質量石墨烯的理想方法。
根據(jù)金屬基底材料的不同,CVD 有兩種生長機制:一是滲碳析碳生長,這是由金屬基底在高溫下溶碳量較高造成的(常見的有鎳、鈷等金屬),前驅體高溫分解釋放碳原子,石墨烯微波膨化設備安裝,碳沉積并滲入基底內,降溫時析出生長形成石墨烯;二是表面吸附生長,銅、鉑等金屬溶碳量較小,碳原子直接吸附到金屬表面生長形成石墨烯。這兩種生長機制中后者更易形成大面積單層石墨烯。
外延生長法:1962年,Badami 在近乎真空的條件下對 SiC 加強熱后發(fā)現(xiàn)了石墨的存在,這就是 SiC 外延生長的起源。外延生長一般是以 SiC 為原料,將其置于高溫、低壓環(huán)境中,溫州石墨烯微波膨化設備,利用 Si 原子的升華速度比 C 原子快得多把 Si 除去而只留下 C 在其表面,之后表面的 C 原子會發(fā)生重構生長形成石墨烯。
外延生長和 CVD 本質上都是利用碳原子在基底表面發(fā)生重構形成石墨烯片層,所以二者都能較好的實現(xiàn)石墨烯的大面積、高均一性的高質量生長,不過外延生長的條件更為苛刻,還存在 SiC 成本過高、石墨烯難以與基底分離等 CVD 法沒有的困難,進而極大地限制了工業(yè)化應用。
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