晶體振蕩器基本知識(shí)

1、概念：電路上為一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，有兩個(gè)諧振點(diǎn)，較低的頻率是串聯(lián)諧振，較高的頻率是并聯(lián)諧振。

這兩個(gè)頻率接近，再很窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。

2、選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率；

3、分類：無(wú)源晶振（crystal，晶體）、有源晶振（oscillator，振蕩器）；

4、振蕩原理：壓電效應(yīng)；

5、壓電諧振：當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（決定于晶片的尺寸）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度急劇增加；

6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來(lái)起振，石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來(lái)共同作用工作的；

振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來(lái)維持工作。

振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）；

7、Q值：衡量電感的主要參數(shù)，指電感器再某一頻率的交流下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。

Q值越高，損耗越小，效率越高；

為什么晶振尺寸越小，產(chǎn)品的靈活度越高

近年來(lái)，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等使用智能的電子設(shè)備迅速普及。而且，為了提高產(chǎn)品的設(shè)計(jì)靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對(duì)較小的無(wú)源晶振封裝了。如今，LVDS輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，智能產(chǎn)品上所搭載的無(wú)源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實(shí)面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會(huì)縮短，這樣來(lái)，有個(gè)好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，從而提升它們的交換頻率。因?yàn)槊總€(gè)晶體管在切換電子信號(hào)的時(shí)候，所消耗的動(dòng)態(tài)功耗會(huì)直接和電流容量相關(guān)，從而使得運(yùn)行速度加快，高速傳輸壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，能耗變小。明白了這一點(diǎn)，壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，制程就越；元器件的尺寸越小，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，LVPECL輸出壓控晶體振蕩器生產(chǎn)廠家，處理器的功耗反而越低的道理了。

溫補(bǔ)晶振介紹

溫補(bǔ)晶振輸出方式分：削峰正弦波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），LVDS 差分方波輸出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖動(dòng)）。另外溫補(bǔ)晶振 32.768KHz 低功耗可達(dá)（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

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