電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時要給電子元器件留出足夠的余量,才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長期運行。接下來簡要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。
三極管是一種流控型器件,2090mos廠家,MOS管是壓控型器件,兩者之間有相似之處,在選擇時需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。
1、根據(jù)耐壓選型
三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO,工作時CE之間的電壓不得超過規(guī)定值,否則三極管將永i久損壞。
在使用過程中,MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓,工作時DS兩端的電壓不能超過規(guī)定值。一般來說,MOS管的耐壓值遠高于三極管。
2、過電流能力
三極管有ICM參數(shù),即集電極的過電流能力,MOS管的過電流能力以ID來表示。當電流工作時,流過三極管/MOS管的電流不能超過規(guī)定值,2090mos,否則器件將會被燒壞。
考慮到工作穩(wěn)定性,一般要留出30%-50%,甚至更多的余量。
3、工作溫度
商業(yè)級芯片:一般范圍在0到+70℃;
工業(yè)級芯片:一般范圍在-40到+85℃;
軍i工級芯片:一般范圍在-55℃到+150℃;
在進行MOS管選型時,要根據(jù)產(chǎn)品的使用場合選擇合適的芯片。
4、根據(jù)開關頻率選擇
三極管和MOS管都有開關頻率/響應時間的參數(shù)。如果用于高頻電路中,必須考慮開關管的響應時間是否符合使用條件。
5、其他選型條件
例如,MOS管的導通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開啟電壓等。
MOS管失效的兩個主要原因:
電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,達到一定容量,造成MOS管失效。
柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值,并且達到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電;設備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
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MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關。
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