公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，萬(wàn)芯mos管廠(chǎng)家，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管小電流發(fā)熱的緣故

1、電路原理的難題，萬(wàn)芯mos管價(jià)格，便是讓MOS管工作中在線(xiàn)形的運(yùn)行狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個(gè)緣故。假如N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)工作電壓要比開(kāi)關(guān)電源高幾V，才可以徹i底通斷，P-MOS則反過(guò)來(lái)。沒(méi)有徹i底開(kāi)啟而損耗過(guò)大導(dǎo)致輸出功率耗費(fèi)，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴(kuò)大，因此U*I也擴(kuò)大，耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計(jì)方案控制電路的避諱的不正確。

2、頻率太高，主要是有時(shí)候太過(guò)追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴(kuò)大了，因此發(fā)熱也增加了。

3、沒(méi)有做到充足的排熱設(shè)計(jì)方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重，必須充足的輔助散熱器。

4、MOS管的型號(hào)選擇不正確，對(duì)輸出功率分辨不正確，MOS管內(nèi)電阻沒(méi)有考慮到，造成開(kāi)關(guān)特性阻抗擴(kuò)大。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，萬(wàn)芯mos管，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，萬(wàn)芯mos管生產(chǎn)廠(chǎng)家，靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。