公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
在電源開關(guān)等供電系統(tǒng)設(shè)計方案中,方案設(shè)計人員會更多關(guān)注MOS管的多個主要參數(shù),mos價格,如通斷電阻器、較大工作電壓、較大電流量。這種要素雖然關(guān)鍵,考慮到不當(dāng)之處會使電源電路沒法正常的工作中,但其實(shí)這只完成了頭一步,MOS管自身的寄生參數(shù)才算是危害電源電路的重要之處。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,mos萬芯半導(dǎo)體,為您量身定制適合的芯片方案。
mos管小電流發(fā)熱的緣故
1、電路原理的難題,便是讓MOS管工作中在線形的運(yùn)行狀態(tài),而不是在開關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個緣故。假如N-MOS做開關(guān),G級工作電壓要比開關(guān)電源高幾V,臺州mos,才可以徹i底通斷,P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導(dǎo)致輸出功率耗費(fèi),等效電路直流電特性阻抗較為大,損耗擴(kuò)大,因此U*I也擴(kuò)大,耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計方案控制電路的避諱的不正確。
2、頻率太高,主要是有時候太過追求完i美容積,造成 頻率提升,MOS管上的消耗擴(kuò)大了,因此發(fā)熱也增加了。
3、沒有做到充足的排熱設(shè)計方案,電流太高,MOS管允差的電流值,一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流,也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重,必須充足的輔助散熱器。
4、MOS管的型號選擇不正確,對輸出功率分辨不正確,MOS管內(nèi)電阻沒有考慮到,造成開關(guān)特性阻抗擴(kuò)大。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS,mos廠家,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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