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主營：單片機,MOS,大電流mos
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MOS管FET柵源保護：
1）避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅(qū)動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2）避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高，中低壓mos萬芯半導(dǎo)體，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，中低壓mos公司，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。
3）安全防護漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，中低壓mos，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
無論是NMOS或是PMOS，導(dǎo)通后都會有導(dǎo)通電阻，使得電流在電阻上耗費一定的電能，這種耗費叫做導(dǎo)通耗損。這時我們只要挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管就可以減少導(dǎo)通耗損，如今的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般也就幾十毫歐的樣子，甚至幾毫歐的都有。MOS在導(dǎo)通和截至的情況下，并不是在一瞬間完成的。
MOS兩邊的電壓有一個降低的過程，流過的電流則有一個升高的過程，中低壓mos價格，在這段時間內(nèi)，電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開關(guān)的損耗要比導(dǎo)通的損耗要大很多，并且要是開關(guān)頻率越高，損耗就越大。導(dǎo)通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大，導(dǎo)致其損耗也越大。如果我們能減少開關(guān)時間，就能夠減少每次導(dǎo)通時的損耗，減少開關(guān)的頻率，也就能夠減少一定時間內(nèi)開關(guān)的頻次，從而做到減少開關(guān)損耗。
MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，并且達到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產(chǎn)、運輸和裝配過程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運行過程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
溫馨提示：以上是關(guān)于中低壓mos-蘇州炫吉-中低壓mos萬芯半導(dǎo)體的詳細介紹，產(chǎn)品由蘇州炫吉電子科技有限公司為您提供，如果您對蘇州炫吉電子科技有限公司產(chǎn)品信息感興趣可以聯(lián)系供應(yīng)商或者讓供應(yīng)商主動聯(lián)系您 ，您也可以查看更多與集成電路相關(guān)的產(chǎn)品！
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第3年
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