公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降i壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來(lái)執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，寧波3080mos，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，3080mos生產(chǎn)廠家，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員關(guān)心的是MOS的傳導(dǎo)損耗。

 MOSFET管有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型，分別是增強(qiáng)型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種，但其實(shí)在實(shí)際的運(yùn)用中一般只用增強(qiáng)型的N溝道和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。

     針對(duì)這兩種增強(qiáng)型的MOS管，其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強(qiáng)型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小，并且生產(chǎn)簡(jiǎn)便，因此在開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)用中，我們一般使用增強(qiáng)型的N溝道MOS管。

     MOS管的三個(gè)管腳中有寄生電容的存在，3080mos廠家，雖然說(shuō)這并不是大家所需要的，但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容，這讓其設(shè)計(jì)方案或挑選驅(qū)動(dòng)電源電路的情況下會(huì)更麻煩一些，其中還沒(méi)有解決的辦法能避免。

     在MOS管的漏極和源極中有一個(gè)寄生二極管叫做體二極管，就驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載來(lái)說(shuō)，二極管對(duì)其十分重要。順帶說(shuō)一句，3080mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體，體二極管只在單獨(dú)的MOS管內(nèi)存在，在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒(méi)有的。

發(fā)熱情況有：

1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的非常忌諱的錯(cuò)誤。

2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。