背靶材料:
無氧銅(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是無氧銅,因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性,而且比較容易機械加工。 如果保養(yǎng)適當,無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。
鉬(Mo)– 在某些使用條件比較特殊的情況下,如需要進行高溫帖合的條件下,無氧化銅容易被氧化和發(fā)生翹曲, 所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配,同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。
濺射技術(shù):濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,鞍山銀蒸發(fā)鍍靶材,離子和固體表面原子發(fā)生動能交換,銀蒸發(fā)鍍靶材報價,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。
精鋁經(jīng)過區(qū)熔提純,只能達到5 的高純鋁,但如使用在有機物電解液中進行電解,可將鋁提純到99.9995%,銀蒸發(fā)鍍靶材技術(shù),并可除去有不利分配系數(shù)的雜質(zhì),然后進行區(qū)熔提純數(shù)次,就能達到接近于 7 的純度,雜質(zhì)總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導體材料外,還在低溫下有高的導電性能,銀蒸發(fā)鍍靶材回收,可用于低溫電磁設(shè)備。
制備化合物半導體的金屬如銦、磷,可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬,總金屬雜質(zhì)含量為 0.1~1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。
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