而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題:銅與有機介質(zhì)材料的附著強度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題,純銀零部件工藝,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
在儲存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤的發(fā)展,吉林純銀零部件,需要大量的巨磁阻薄膜材料,純銀零部件加工,CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發(fā)展,用它制造的磁光盤具有存儲容量大,壽命長,可反復(fù)無接觸擦寫的特點。如今開發(fā)出來的磁光盤,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu),TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達到58,而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
所述泡沫彈性層包含:至少三種具有不同體積電阻率的導(dǎo)電性橡膠,這三種導(dǎo)電性橡膠的體積電阻率小于約I X ο14 Ω Cm ;至少一種體積電阻率為約IXlO14Qcm或更大的絕緣橡膠;以及至少兩種導(dǎo)電性填料。
所述絕緣橡膠為選自由三元乙丙橡膠、硅橡膠和丁基橡膠構(gòu)成的組中的至少一種橡膠。根據(jù)本發(fā)明的第三方面,純銀零部件報價,所述導(dǎo)電性橡膠和所述絕緣橡膠為氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠,或者為氯丁橡膠、氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠。根據(jù)本發(fā)明的第四方面,所述絕緣橡膠的含量為橡膠成分總量的約30質(zhì)量%至約40質(zhì)量%。
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