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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機(jī),150度存儲(chǔ)器,175度電容
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現(xiàn)在的 EEPROM 和 FLASH 都屬于“可多次電擦除存儲(chǔ)器”，但他們二者之間還是有很大差異。
首先，他們差異就是：FLASH按塊/扇區(qū)進(jìn)行讀寫操作，EEPROM支持按字節(jié)讀寫操作。
其次，容量大小不同：FLASH容量可以做到很大，但EEPROM容量一般都很小。
再次，就是它們的應(yīng)用場景不同：EERPOM存儲(chǔ)零散小容量數(shù)據(jù)，比如：標(biāo)志位、一組數(shù)據(jù)等。FLASH存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)，比如：程序代碼、圖片信息等。
進(jìn)口175度存儲(chǔ)器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲(chǔ)器 ，適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲(chǔ)器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲(chǔ)器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲(chǔ)器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
EEPROM存儲(chǔ)器應(yīng)用
1.系統(tǒng)配置信息存儲(chǔ)：EEPROM存儲(chǔ)器可用于存儲(chǔ)設(shè)備的配置信息和參數(shù)設(shè)置，如計(jì)算機(jī)BIOS設(shè)置。
2.數(shù)據(jù)備份與恢復(fù)：在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中，EEPROM可作為數(shù)據(jù)備份，高溫175度讀寫存儲(chǔ)器容量，確保數(shù)據(jù)安全。
3.設(shè)備ID與序列號(hào)：EEPROM存儲(chǔ)器可用于存儲(chǔ)設(shè)備的標(biāo)識(shí)符，高溫200度讀寫存儲(chǔ)器容量，如MAC地址、序列號(hào)等。
4.用戶偏好設(shè)置：在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，EEPROM可用于存儲(chǔ)用戶的個(gè)性化設(shè)置，如音量、亮度等。
5.工業(yè)控制系統(tǒng)：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，EEPROM可用于存儲(chǔ)控制參數(shù)和歷史數(shù)據(jù)，便于故障診斷和分析。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲(chǔ)器 ，適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲(chǔ)器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲(chǔ)器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲(chǔ)器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
FLASH存儲(chǔ)器的基本單元電路，與EEPROM類似，高溫175度讀寫存儲(chǔ)器介紹，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，讀寫存儲(chǔ)器，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加以正電壓，使電子進(jìn)入一級(jí)浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用一級(jí)浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，快擦存儲(chǔ)器不能按字節(jié)擦除，而是全片或分塊擦除。
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第2年
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